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安世半导体发布业内首款专门针对USB4TM标准开发的ESD保护器件

Nexperia, 分立器件、MOSFET器件及模拟和逻辑器件领域的生产专家,今日宣布推出PESD2V8R1BSF,这是业内首款专门针对USB4TM标准开发的ESD保护器件,具有行业领先的RF性能。新款器件采用Nexperia的TrEOS ESD技术与有源可控硅(SCR)技术,USB4TM和Thunderbolt接口设计工程师将会特别感兴趣。该器件可实现极低电容(低至0.1 pF);极低钳位电压 动态电阻低至0.1 Ω)以及非常稳健的防浪涌与ESD性能(,最高可达20A 8/20 μs)。PESD2V8R1BSF采用超低电感SOD962封装。

 

Nexperia产品经理Stefan Seider评论道:“为避免信号完整性问题,PESD2V8R1BSF ESD保护二极管提供极低的插入损耗和相应的低回波损耗,在10 GHz时分别为-0.21 dB和-17.4 dB。该ESD保护器件可满足USB 3.2的较高电压要求。这意味着,该器件可放置在USB Type-C®连接器后面,用于保护耦合电容,同时仍与USB3.2向后兼容。”

 

TrEOS保护二极管采用非常紧凑、非常可靠的DSN0603-2 (SOD962)封装。这种广泛使用的0603外形尺寸能够带来诸多优势,包括电感极低,可提供快速保护,并且可集成到单片电路中,无需焊线,从而减少了机械应力和热应力。

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